Hi, ich habe eine Frage, und zwar wie genau sieht das aus mit dem Spannungsabfall CE bei FETs und Bipolartransistoren, was ist da der Unterschied.
Also soweit ich das richtig im Kopf habe, braucht der Bipolartransistor min 0,7V BE Spannung um Durchzuschalten, und schaltet dann Stromabhängig "auf" oder "zu". Wie sieht es aber mit dem Spannungsfall an CE im Sättigungsbetrieb aus? Fallen auch dort die 0,7V ab wenn er voll durchgeschalten ist? Und woher weiß ich die Spannung wenn er nicht ganz durchgeschaltet ist? Sagen wir er schaltet bei 12V zu 50% durch wieviel Spannung fällt ab? 6V?
FETs werden rein Spannungsgesteuert betrieben, daher die Spannung liegt nur an, fällt aber nicht ab(proof me wrong). Aber auch hier gab es doch einen minimalen Spannungsabfall (Schaltverlust) aufgrund der Dioden oder?
kann mir da vielleicht jemand nochmal auf die Sprünge helfen, ist schon länger her. Danke schonmal :)