Spannungsfall Fet und Bipolar Transistor?

4 Antworten

Da liegst Du richtig mit 0,7V. Die K -E Strecke verhält sich wie ein Dynamischer Widerstand oft 1/2 x UB, Wieviel Spannung da abfällt wird durch eine Formel berechnet. Soweit vereinfacht dargestellt. Es gibt statische Werte und dynamische Werte. Berechnungen für Anwendungsfälle-darüber in den Datenblättern.

Es gibt keinen fest definierten Widerstand. Dieser ist Dynamisch und hängt von der Ansteuerung ab. Weitere Information des FETs erhältst du über die Datenblätter des Transistors, auch der entsprechende Arbeitspunkt in deiner Schaltung würdest du hier ablesen können. Falls dir der Begriff Arbeitspunktbestimmung neu ist, solltest du dir dazu etwas ansehen, dass macht man auch bei einfachen LEDs mit Vorwiderstand.

Beim Bipolartransistor ergibt sich das aus dem Ausgangskennlinienfeld:

Bild zum Beitrag

Der Schnittpunkt der Arbeitsgeraden mit der Uce-Ic-Kennlinie ergibt den Arbeitspunkt. Man sieht, dass dieser nicht weiter nach links wandern kann, selbst wenn man Ib erhöht.

Dieser konkrete Wert ist das Ucesat und beträgt typisch ~0,2-0,3V bei Kleinsignaltransistoren. Datenblatt!

Bei FETs ist es ähnlich.

Woher ich das weiß:Studium / Ausbildung – Ausbildung Elektronik/Nachrichtentechnik, Schaltungstechnik
 - (Schule, Technik, Technologie)

Wenn du es genau wissen willst, schaust du dir 2 echte Datenblätter an. Diese Werte müssen dort auftauchen.