Wieso leitet die Gate-Source-Strecke im Gegensatz zur Gate-Drain-Strecke?
Hi, ich beschäftige mich grade mit "normalen" unipolaren FETs (N-Channel FET). Dabei hab ich Kennlinien aufgenommen und gesehen, dass der PN-Übergang der GS-Strecke leitend ist, aber die GD-Strecke nicht. Wieso ist das so? Es sind beides PN-Übergänge. Am Gate lag immer der Pluspol und der Minuspol jeweils am Drain oder Source.
2 Antworten
Oh, das wäre mir neu. Kann eigentlich nicht sein. Aber wie so oft im Leben eines Wissenschaftlers ... wenn die Realität den Erwartungen widerspricht ...
Muss mal schauen, ob ich 'nen Sperrschicht-FET hier rumliegen habe.
Sehr interessante Frage.
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Ergänzung: Hab's grad selbst getestet, mit BF245B, LED und 330 Ohm Widerstand in Reihe (an 5V Versorgungsspannung). Vom Gate aus fließt sowohl über Drain als auch Source Strom.
Dein JFET ist höchstwahrscheinlich defekt. Hast Du vielleicht zu viel Strom durchgeschoben? ;-)
So eine PN-Strecke verträgt nicht viel Strom. Schau mal in's Datenblatt. Beim BF245B sind es 10 mA.
Mein Problem hatte sich dann schnell gelöst. Aus einem mir unbekannten Grund hat die Messung nicht funktioniert. Ich habe es am darauf folgenden Tag nochmal probiert (gleicher FET, gleicher Aufbau, gleiches Messwerkzeug) und dann hat es geklappt. Wer weiß, vielleicht gibts ja doch sowas, wie Transistor-Geister ;)
Hab ich doch längst gemacht.....vor allem hab ich gefragt, WIE er das denn fetstgestellt hat.
Kanst Du bitte erläutern, wie bzw. wo Du gesehen hast, "dass der PN-Übergang der GS-Strecke leitend ist" ? Ist in den Gate-Anschluss denn ein messbarer Strom geflossen?
Das ist - abgesehen von nie vermeidbaren Sperr- bzw. Leckströmen - beim FET nämlich nicht der Fall.
Du verwechselst MOSFETs mit Unipolar-FETs.
https://de.wikipedia.org/wiki/Sperrschicht-Feldeffekttransistor
Ich meine, dass beim JFET ein Gatestrom fließt, insbesondere wenn man ihn "falsch herum" polt.
Ich habe die Vermutung, dass Du die Frage noch nicht richtig verstanden hast. Vielleicht nochmal lesen.
Was ist daran denn "interessant"? Das FET-Prinzip ist bekannt und beschrieben seit -zig Jahrzehnten.