Was macht ein Feldeffekttransistor und was ist der Unterschied zum bipolaren Transistor?

Bei einem Feldeffekttransistor wird der Strom zwischen Source und Drain über das Gatefeld gesteuert, da durch das Anlegen der Gatespannung an das Gate durch das Gatefeld Ladungsträger in den Bereich zwischen Source und Drain gezogen werden. Durch die Oxidschicht kann kein Strom hindurchfließen. Einen Feldeffekttransistor kann man vielleicht vergleichen mit einer Straße auf der während eines Straßenfestes eine Bühne steht. Treten auf dieser Bühne Künstler auf, so bleiben davor die Zuschauer stehen und behindern damit die übrigen Passanten auf dieser Straße. Ist die Bühne leer, so bleibt davor niemand stehen und die Passanten können vorbeilaufen...Ein Feldeffekttransistor wird durch die Gatespannung und damit leistungslos gesteuert, während bei einem bipolaren Transistor ein Strom über die Diode zwischen Basis und Emitter fließt, wobei ein viel stärkerer Strom über die in Sperrrichtung gepolte Diode um Kollektor fließt.

Dies ist nur ein sehr grobes Bild von den Vorgängen.

Beim Feldeffekttransinstor hat man einen leitfähigen Kanal zwischen Source und Drain. Umgeben ist dieser mit einem Gebiet gegensätzlich dotiertem Materials. Zwischen Dem Kanal und der Umgebung bildet sich eine Ladungstragerverarmungsschicht aus. Je nach Spannung die man zwischen Umgebung und Kanal anlegt kann man die Ausdehnung der Verarmungsschicht und damit die Leitfähigkeit des Kanals steuern. Als ganz grobes Bild wie ein Schieber mit dem an den Querschnitt eines Rohres verändern kann.

Beim Bipolaren Transistor hat man im Grunde eine Diode bei der man die Ausdehnung der Verarmungsschicht durch einen Strom steuern kann. Je nach stärke der Verarmungsschicht stellt diese einen größeren oder kleineren Widerstand dar. Als ganz grobes Bild wie ein variabler Widerstand den am elektrisch steuern kann.

Bipolar Transistor ist Stromgesteuert, Feldeffekttransistor FET ist Spannungsgesteuert (eine sehr kleine Kapazität muss am Gate geladen werden) meist so weniger als 30 pF. Am Gate muss ein eindeutiger Pegel (H oder L) anliegen, bipolar Transistoren sind da ehr unempfindlicher.