So sperre ich den P-Kanal Mosfet richtig?
Hallo Zusammen,
ich muss mal etwas sicher stellen. Wenn ich einen P-Kanal Mosfet an 48V Vcc betreiben möchte, kann ich ja das Gate nicht einfach mal so auf GND ziehen. Das wäre dann zu viel GS Spannung. Also muss ich das Gate z.B zwischen 48V und 36V schalten, richtig? Gibt es denn auch andere Lösungen wenn ich gezwungen bin einen P-Kanal Mosfet bei höherer Vcc Spannung einzusetzen (abgesehen von höherer GS Spannung)?
Danke!
Im Moment sieht der Treiber so aus. Ich möchte den auch gerne diskret aufbauen. Das Gate des Mosfet steuere ich nun mit 48V (für leiten) und mit der Zener Diode D2 auf 36V (für sperren).
Sollte funktionieren?
2 Antworten
Es kommt drauf an wie viel GS Spannung der Fet verträgt. IdR schaltet man die Dinger dann aber über eine Treiberschaltung. Die gibts fertig zu kaufen suche nach Highside Fet Driver auf Google.
Am einfachsten ist es in dem Fall aber einen Fotomosfet zu verwenden.
Btw deine Treiberschaltung sieht Problematisch aus.
Wenn du am Fußpunkt von Q1 und Q2 0V hast wird das Gate des FET über Q2 und die Z Diode entladen. Weil aber kein Strom fließen kann wird sich das Gate des FETs in dieser Konfiguration über Leckströme auf 0V entladen.
Außerdem zieht die EB Diode von Q2 mit der CE Strecke von Q3 das Gate des FETs auf 0V. Da hast du im eingeschalteten Zustand von Q3 maximal 0.9V am Gate des FETs.
(edit, dachte an einen n channel mosfet) ja.
Highside Fet Driver, gutes Stichwort!