Der Verbraucher ist üblicherweise zwischen Quelle (+) und dem Drain-Pin des Mosfets. Der Source ist direkt mit dem Gnd / -verbunden und die Spannung am Gate ist dann zwischen Gnd und dem Gate-Pin.
Im Datenblatt ( International Rectifier IRF530N HEXFET) steht Du darfst +/- 20 V ans Gate anlegen,12 V sind sicher OK. Warum dann doch ein kleiner Gate-Widerstand hilfreich ist steht ein paar Zeilen weiter unten: Der Mosfet kann mit 7.4 V/ns einschalten (du/dt), deine 12V wären dann in nur 1.5 ns erreicht! Das kann zu Schwingungen im Schaltkreis führen.
Auf der nächsten Seite steht verschiedene Schaltzeiten td(on),td(off) und so weiter für eine typische Anwendung, und da werden 12 Ohm verwendet. Wenn Du einen ähnlichen Widerstand verwendest (ungefähr 10 Ohm) kannst Du nichts falsch machen.
Und bitte daran denken, dass der Mosfet auch warm wird. Der hält zwar 60A im PWM aus (Pulsed Drain Current), darf aber "nur" 175°C heiß werden (wenn nicht vorher schon deine Stromquelle aufgibt ;-) ). D.h. probiere erst mal ein PWM aus, dass nur wenig einschalten bietet und fahre dann immer weiter hoch. Wird der Mosfet (zu) warm, dann brauchst Du entweder einen Kühlkörper oder musst das PWM hier stoppen.