Lohnt es sich noch ein Handy aus 2020 zu kaufen?

Lohnt es sich nicht ein Flaggschiff (Also das beste Modell des Anbieters) vom Jahr 2020 Heute noch zu kaufen?

Das Handy kostete damals 1200€ und man soll es jetzt für 360€ bekommen. Angeblich unbenutzt laut einer Anzeige. Ich Fand das Handy damals den anderen Flaggschiffen zu der Zeit sehr weit voraus und würde es eher einem Flaggschiff Handy aus dem Jahr 2022 zuordnen. Das hatte auch ein Magazin bestätigt.

Mir sind neue Handys einfach zu teuer und der Preis ist es mir nicht Wert. Deswegen suche ich nach Handys die damals weit voraus waren jedoch der Preis sehr niedrig ist wie bei meinem jetzt weil die Chinesische Firma grade in dem Jahr auf den deutschen Markt kam.

Ein anderes Handy was ich bevorzugen würde, wäre das Google Pixel 4. Es hat eine immer noch sehr gute Kamera und enorm gute Lautsprecher. Der Preis ist hier ebenfalls sehr niedrig. Doch das Handy ist schon so alt, das es sich eigentlich nicht mehr lohnt und ich am grübeln bin. Als ich es Anfang des Jahres in den Händen hielt, merkte man das es schon sehr langsam geworden ist. Das passiert mit den Handys mit der Zeit.

Deswegen bleibt mir eher, sagen wie mal zu 65 Prozent das Handy aus 2020 übrig. Allerdings möchte ich schon das es mit heutigen Smartphones nicht mithält, jedoch schon nah dran kommt. Vor allem die Kamera und Lautsprecher. Alles andere ist mir unwichtig.

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Frage zu Hochfrequenztechnik?

Hi, ich habe bald ein Bewerbungsgespräch beim Fraunhofer Institut und wollte mich da ein bisschen über das Institut IAF informieren. Allerdings verstehe ich nicht so ganz, was sie herstellen, kann jemand vielleicht folgenden Abschnitt der Homepage oder Teile davon erklären (insb. die fettgedruckten Teile)?

Forschende des Fraunhofer IAF entwickeln Materialien, Bauelemente, Module und (Sub-)Systeme für ein breites Spektrum von Anwendungen in der Hochfrequenz- und Leistungselektronik.

Im Bereich der Hochfrequenzelektronik arbeiten die Forschenden des Fraunhofer IAF an metamorpher Schaltungstechnologie auf Basis von InGaAs-mHEMTs mit Gate-Längen von 50 nm, 35 nm oder 20 nm. Damit lassen sich extrem rauscharme und breitbandige Module bei Raumtemperatur, aber auch unter kryogenen Bedingungen, mit Grenzfrequenzen von bis zu 1 THz realisieren.

In der Leistungselektronik konzentriert sich das Fraunhofer IAF auf GaN-basierte Bauelemente, Schaltungen und Module für höchste Energieeffizienz und maximale Spannung, die in der Elektromobilität, der Klimatechnik und der Informationstechnologie zum Einsatz kommen. Darüber hinaus arbeiten die Forschenden des Fraunhofer IAF an neuartigen lateralen und vertikalen 1200-V-Bauelementen sowie an der monolithischen und heterogenen Integration.

Vielen Dank schon im Voraus!

-Eva

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