Mosfet/IGBT/Transistor sterben?

Ich arbeite mit einem Kollegen an einem Projekt und wir müssen rund 10A mit einem Mosfet/IGBT Schalten, das Problem das ganze schaltet eine große Induktivität und das führ zu riesigen Peaks in der Spannung, wir glauben dieses Problem eigentlich recht gut in den Griff durch TVs Dioden bekommen zu haben. Somit wird er zumindest duch diese Spannung nicht getötet. Jedoch wird der Transistor trotz heatsink lüfter und wärmeleitpaste sehr warm ab 160C schalten wir manuel ab, weil das die kritische temp laut datasheet ist. Die temperatur haben wir natürlich mit einer wärmebildkammera von außen gemessen, ob der Kristall in ihm drinnen nun auch 160C hat können wir nicht sagen. Das Problem, der Transistor arbeitet meistens Problemlos, doch am Tag darauf ist er immer hin, mein gedanke da dehnt sich irgendwas aus und durch das abkühlen über nacht geht da immer was hin. Habt ihr sonst noch vorschläge was schuld sein könnte an diesem Tod? außerdem gibt es eine möglichket den Transistor noch irgendwie anders zu kühlen als bloß mit einem Heatsink? (Wasserkühlung oder so) und ist so etwas effektiv? Noch wichtig als Infos ist, dass der Transistor PWM mäßig geschalten wird und die Steigungskurve ist fast 90 Grad, heißt der wird mit genug Gate strom versorgt um schnell seinen internen Kondensator zu laden.

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Was mache ich mit dem MOSFET / Transistor falsch?

Ich habe einen MOSFET IRF540N (N-Channel Power MOSFET) vorliegen, den ich als einfachen Schalter verwenden möchte, was mir aber auch nach vielfachen Versuchen nicht gelingt. Grundsätzlich bin ich in der Thematik sehr unerfahren, und lerne mich seit einigen Monaten nur durch Tutorials in das Thema ein.

Ich habe auch nochmal ein spezielles N-Channel-MOSFET-Tutorial auf Youtube angesehen, und bin der Ansicht, ihn richtig angeschlossen zu haben: Drain ist mit dem "+" -Pol des Labornetzteiles (35V) verbunden, Source mit einem Spannungsmessgerät (Multimeter), an Gate ist ein Taster vorgeschaltet, der 9V durchschaltet. Per Widerstand wird Gate ausserdem auf Ground gezogen.

Wenn ich den Taster drücke, zeigt das Messgerät nicht wie erwartet 35 Volt an, sondern nur ca. 7 Volt. Außerdem hatte ich zum testen anstatt dem Netzteil nur 9V an Drain angeschlossen, und hier wurden bei Tastendruck an Source (ebenfalls) 7,2 Volt gemessen (diesmal mit einem Messgerät mit digitaler Anzeige, daher die Nachkommastelle). Auf welche Fehlerquelle könnte das hindeuten? Ich habe übrigens schon mehrere MOSFETs ausprobiert, daher wird es vermutlich eher ein Anwendungsfehler sein (oder es sind gefälschte MOSFETs, die tatsächlich Spannungswandler sind ;-)

Die technischen Daten des MOSFET sind u.a.:

Gate to Source Threshold Voltage: 2-4 Volt

Gate to Source Voltage: +/- 20 Volt

V_DSS = 100 V, I_D = 28 A, usw.

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